Опис товару Транзистор IRF9530N польовий P-канальний 100V 14A корпус TO220

• Тип транзистора: P- канальний;
• Максимальний струм "сток"-"исток": 10A;
• Максимальна напруга "сток"-"исток": 100V;
• Тип корпусу: TO220.

Відмінні риси та переваги транзистора IRF9530N польовий P- канальний 100V 14A корпус TO220

Транзистор IRF9530N польовий P- канальний 100V 14A корпус TO220 виконаний на основі пластини з напівпровідника P-тип.

Як і в біполярному транзисторі, з двох сторін до пластини приєднані два висновки ("сток" и "исток"), а керуючий електрод – засувка.

Змінюючи полярність і рівень прикладеної напруги до затвора, можна управляти звуженням або розширенням каналу, внутрішнім опором, найголовніше - струмом через транзистор.

Оскільки транзистор називається "польовий", управління проводиться електричним полем, а не струмом бази, як в біполярний транзистор. Це дозволяє не витрачати додаткову енергію.

Транзистор IRF9530N польовий P- канальний 100V 14A корпус TO220 допускає підключення трьома способами: із загальним затвором, із загальним стоком, із загальним витоком.

Вхід польового транзистора володіє значним опором, що дозволяє підключати високоомне джерело електричних коливань.

Основні параметри транзистора IRF9530N польовий

При розрахунку підсилювальних каскадів, необхідно виходити в першу чергу з струму, споживаного навантаженням.

Максимальний струм для польового транзистора IRF9530N становить 14A. При перевищенні цього струму транзистор може вийти з ладу.

Якщо потрібен більш потужний напівпровідниковий прилад, слід купити польовий транзистор з великим вихідним струмом "исток"-"сток".

Другим за значимістю параметром польового транзистора є напруга між висновками "сток" и "исток". При перевищенні цього параметра, транзистор може "пробиватися". Для даної моделі напруга становить 100V.

Також транзистор IRF9530N характеризується напругою відсічення на ділянці "засувка"-"исток". Цей показник – порогове значення, при якому струм через канал транзистора повністю припиняється.

Від струму через транзистор і опору каналу залежить розсіюється потужність транзистора.

Якщо транзистор планується встановлювати в високочастотні схеми, додатково необхідно враховувати вхідну ємність і час перемикання.

При проектуванні схем із застосуванням польового транзистора IRF9530N слід враховувати:

• чутливість до перегріву;
• високу ймовірність пробою від впливу статичної електрики.

У зв'язку з цим при пайку польового транзистора слід використовувати засоби заземлення.

Кращий варіант-пайка за допомогою паяльника із заземленням і регулюванням температури.

Однак найкращим вирішенням питання було б застосування паяльної станції, паяльник в якій гальванічно розв'язаний від мережі, забезпечений антистатичним захистом і регулюванням температури.

Даташит